SIR890DP-T1-GE3 دیتاشیت

SIR890DP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIR890DP-T1-GE3
حجم فایل 91.177 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت SIR890DP-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIR890DP-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 50W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.6V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.9mΩ@10V,10A
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه